据悉，三星电子去年推出了4纳米芯片技术，但由于良率不高，导致部分客户转投台积电，包括之前使用三星4纳米工艺推出两款芯片的高通公司，并且三星电子也不得不在其Galaxy S22手机中使用骁龙 8 Gen1芯片，而不是自家的Exynos 2200芯片。
然而今年以来，通过多方改进，三星电子在4纳米工艺方面取得了一定的进步，良率和产能都有所提升。
随着4nm的改进，今日消息，根据三星代工今天在年度三星代工论坛上公布的最新工艺技术路线图，该公司计划在2025年推出2纳米级的SF2工艺，2027年推出1.4纳米级的SF1.4工艺。与此同时，该公司还公布了SF2工艺的一些特性。
三星的SF2工艺是在今年早些时候推出的第三代3纳米级（SF3）工艺的基础上进一步优化的。
与SF3相比，SF2工艺可以在相同的频率和复杂度下提高25%的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下提高12%的性能，在相同的性能和复杂度下减少5%的面积。为了让SF2工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的IP组合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。
继SF2之后，三星将在2026年推出针对高性能计算（HPC）优化的 SF2P，以及于2027年推出针对汽车应用优化的SF2A工艺。同样在2027年，该公司还计划开始使用SF1.4（1.4纳米级）制造工艺进行量产。三星的2纳米级工艺将与台积电的N2（2纳米级）工艺大致同步，比英特尔的20A工艺晚一年左右。
目前关注度的较高的芯片制造厂商均在近期公布了自己旗下制程工艺的发展时间，感兴趣的小伙伴可以保持关注。
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